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硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
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硅片键合技术主要是由于吸附在被氧化的两个硅表面的羟基团吸引形成氢键所致。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
氢键
硅片
时间：2022-02-17 21:10:54
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目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。
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For these reasons, it is crucial to have tight control of the plasma dose (It has been proven by numerous previous studies) during clinical plasma treatments.
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硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
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外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
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以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
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以下不是外延硅的主要缺陷（）
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以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
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以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
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直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
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氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
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直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
10.
直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
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直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
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以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
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以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
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以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
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直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
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可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
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在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
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掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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以下对于直拉生长描述错误的是（）