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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
晶体
长度
时间：2022-02-17 21:10:41
上一篇：
以下对于直拉生长描述错误的是（）
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掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
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不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）
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硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
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熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
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区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
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区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
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区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好。
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区熔提纯利用分凝原理。
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硅烷法的成本低，但是安全性差。
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硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
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以下描述正确的是（）A.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
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硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
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以下对于硅材料特性的描述正确的是（）
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以下对于硅的化学性质描述正确的是（）