首页
硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
化合物
区别
时间：2022-02-17 21:10:36
上一篇：
半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
下一篇：
硅烷法的成本低，但是安全性差。
相关答案
1.
以下描述错误的是（）A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
2.
以下描述正确的是（）A.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
3.
以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）
4.
硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
5.
硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
6.
硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
7.
形成P型硅的掺杂剂是（）
8.
以下对于硅材料特性的描述正确的是（）
9.
以下对于硅的化学性质描述正确的是（）
10.
以下对于硅材料的性质的描述正确的是（）
热门答案
1.
以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有（）
2.
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
3.
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
4.
液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
5.
生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
6.
SiC可以用熔体生长法。
7.
生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法（）
8.
目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
9.
以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
10.
硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。