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SiC可以用熔体生长法。
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SiC可以用熔体生长法。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
Tag:
半导体材料
生长
时间:2022-02-17 21:10:26
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生长非常高熔点的氧化物(如:钇铝石榴石)一般用什么方法()
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生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。
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目前生长半导体体单晶最常见的方法是()
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以下熔体生长法生长晶体描述正确的是()
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在体系中存在外来质点(比如尘埃、固体颗粒、籽晶等),在外来质点上成核叫做均匀成核。
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晶体生长过程中,只有达到一定的过冷度时,才能自发进行熔-固相转变。
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以下对于晶体生长的方法描述错误的是()
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