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CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
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CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
测验
Tag：
半导体材料
纯度
薄膜
时间：2022-02-17 21:10:29
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区熔法可以生长熔点极高的晶体。
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以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有（）
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液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
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