首页
区熔可以重复多次,使杂质尽量被集中在头尾两端,提纯中部的材料,且熔区越长越好。
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
区熔可以重复多次,使杂质尽量被集中在头尾两端,提纯中部的材料,且熔区越长越好。
A.正确
B.错误
正确答案:错误
Tag:
半导体材料
头尾
杂质
时间:2022-02-17 21:10:38
上一篇:
区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷,增加机械强度。
下一篇:
熔区次数的选择可以根据经验公式得到:n=(1~1.5)L/l
相关答案
1.
区熔的熔区移动速度越小,提纯效果越好。
2.
区熔提纯利用分凝原理。
3.
硅烷法的成本低,但是安全性差。
4.
硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同,西门子法是最常用的方法。
5.
半导体硅的性能对于杂质非常敏感,一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
6.
以下描述错误的是()A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
7.
以下描述正确的是()A.硅材料在自然界中非常丰富,存在天然的晶体硅
8.
以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是()
9.
硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离,电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
10.
硅材料本身是没有电活性的,可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
热门答案
1.
硅晶体的最密排面是{111}面,第一解离面是{110}面。
2.
形成P型硅的掺杂剂是()
3.
以下对于硅材料特性的描述正确的是()
4.
以下对于硅的化学性质描述正确的是()
5.
以下对于硅材料的性质的描述正确的是()
6.
以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有()
7.
CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好,但是反应的源气、余气有毒。
8.
区熔法可以生长熔点极高的晶体。
9.
液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
10.
生长硅晶体最常用的方法是直拉法(Czochralski)。