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直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
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直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
直径
尺寸
时间：2022-02-17 21:10:44
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可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
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以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
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在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
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掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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以下对于直拉生长描述错误的是（）
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在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
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不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）
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硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
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熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
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区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
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区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
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区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好。
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区熔提纯利用分凝原理。
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硅烷法的成本低，但是安全性差。
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硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
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半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
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以下描述错误的是（）A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
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以下描述正确的是（）A.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
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以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）
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硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
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硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。