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直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
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直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
电学
杂质
时间：2022-02-17 21:10:48
上一篇：
直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
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氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
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直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
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以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
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以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
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以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
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在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
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掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
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区熔提纯利用分凝原理。
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硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。