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直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
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直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
晶体
技术
时间：2022-02-17 21:10:47
上一篇：
直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
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直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
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以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
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以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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