首页
以下不是外延硅的主要缺陷（）
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
以下不是外延硅的主要缺陷（）
A.层错
B.氧沉淀
C.位错
D.夹层
正确答案：氧沉淀
Tag：
半导体材料
夹层
外延
时间：2022-02-17 21:10:51
上一篇：
以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
下一篇：
以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
相关答案
1.
以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
2.
直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
3.
氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
4.
直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
5.
直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
6.
直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
7.
以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
8.
以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
9.
以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
10.
直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
热门答案
1.
可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
2.
在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
3.
掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
4.
Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
5.
以下对于直拉生长描述错误的是（）
6.
在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
7.
不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）
8.
硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
9.
熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
10.
区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。