以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
A.非晶硅与单晶硅的raman谱的峰位不同
B.非晶硅的光吸收系数高于单晶硅，有利于光电转换
C.由于非晶硅薄膜中存在比较高的缺陷和局域态密度，通常不能进行掺杂
D.非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eV
正确答案：非晶硅的能带结构与晶体硅相同，禁带宽度均为1.12eV
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