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硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
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硅的同质外延生长的原理是用氢气还原硅的氯化物。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体材料
氯化物
氢气
时间：2022-02-17 21:10:53
上一篇：
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法，衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂，比如Sb。
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目前SOI材料的主流制备技术是注氧隔离技术和智能剥离技术。
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以下对于非晶硅薄膜描述错误的是（）
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以下不是外延硅的主要缺陷（）
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以下对于硅外延生长描述不正确的是（）
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以下抑制自掺杂的方法不正确的是（）
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直拉硅中的金属杂质必须避免，它们扩散很快，可以形成复合体或者沉淀，对于硅晶体的电学性质有严重的危害。
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氢可以钝化硅晶体中的氧沉淀、位错和金属杂质。
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直拉硅晶体中的氢杂质一般是故意引入，一般没有电学性质。
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直拉晶体的掺杂技术有共熔法和投杂法。
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直拉硅晶体过程中会引入各种杂质，有些杂质对材料有害，有些杂质对材料有益。
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以下对于直拉硅晶体中的碳杂质描述错误的是（）
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以下对于直拉硅晶体中的氧杂质描述错误的是（）
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以下对于重掺磷技术的难点描述错误的是（）
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直拉硅单晶的发展呈现大尺寸大直径的趋势，单晶炉也逐渐发展变大。
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可以通过晶锭外侧的生产条纹和小平面来判断晶体的位错状态。
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在直拉硅晶体时最后的收尾是为了防止位错反延。
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掺锗、氮，重掺硼的籽晶具有高强度。
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Dash缩颈成功生长了无位错直拉硅，但是使得一次拉出来的晶体长度受限。
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以下对于直拉生长描述错误的是（）
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在直拉硅生长过程中，熔体出现对流，以下对于对流的描述错误的是（）
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不可能存在于直拉硅中的杂质和缺陷有（）