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CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）
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CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有：扩散；；表面迁移。（三个字）
正确答案：再发射
Tag：
微电子工艺
衬底
表面
时间：2022-03-02 17:03:09
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等离子体是物质的一种热平衡存在形态。
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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
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关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
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poly-Si薄膜通常是采用什么方法制备的？
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LPCVD-SiO2，将工艺控制在较高温度，有：kshg，此时淀积速率的特点为：
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锑在硅中的最大固溶度只有5*10的19次方原子/cm3，但某芯片埋层掺杂要求掺入锑最大浓度应达5*10的20次方原子/cm3，因此，采用（）掺杂。
5.
在Si中注入B+，能量为30KeV，剂量是10的12次方离子/cm2，查表可知Rp≈0.11μm，ΔRp=0.032μm，峰值浓度是1.25*10的16次方原子/cm3
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在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
7.
在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？
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离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
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关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
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形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
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在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
2.
在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）
3.
一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
4.
扩散系数在何时不可以看成是常数：
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扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
6.
热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）
7.
热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
8.
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
9.
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
10.
通常掩膜氧化采用的工艺方法为：