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在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩分钟。(只保留整数)
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在p-Si中扩磷13分钟,测得结深为0.5μm,为使结深达到1.5μm,在原条件下还要扩分钟。(只保留整数)
正确答案:104
Tag:
微电子工艺
条件下
整数
时间:2022-03-02 17:03:03
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一扩散,采取两歩工艺:预淀积温度高(1200℃)时间长(50min),再分布温度低(970℃)时间短(30min),杂质近似为服从高斯分布。
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在离子注入掺杂时,有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离,这种现象就是()。当偏离晶向()ψc注入时,可以避免。
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热氧化速率快慢排序:氧化最快、氧化次之、氧化最慢。(从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空,中间用“、”隔开)
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如果外延速率偏低,只要增大外延气体中硅源(如SiCl4)浓度,硅的气相外延速率就会增加。
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