关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A.含H；
B.抗腐蚀性好；
C.台阶覆盖性较好；
D.是中温工艺；
E.常作为芯片的保护膜；
F.常作为腐蚀掩膜。
正确答案：含H；；台阶覆盖性较好；；常作为芯片的保护膜；
关于PECVD-Si3N4薄膜的下列说法哪个对？
A.含H；
B.抗腐蚀性好；
C.台阶覆盖性较好；
D.是中温工艺；
E.常作为芯片的保护膜；
F.常作为腐蚀掩膜。
正确答案：含H；；台阶覆盖性较好；；常作为芯片的保护膜；
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