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离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
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离子注入硼无需退火就有电活性，所以才会出现随退火温度升高反而电激活率下降的逆退火现象。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
微电子工艺
活性
离子
时间：2022-03-02 17:03:05
上一篇：
关于离子注入区形成非晶层的临界剂量，下面哪几种说法正确：
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在p-Si中扩磷20分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到0.8μm，在原条件下还要扩散多长时间？
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形成B的超浅结掺杂（剂量为QB)时，为了避免沟道效应可否先注入锑（剂量为QSb）再注入硼？实际注入了多少硼？
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在离子注入掺杂时，有少部分杂质进入衬底后穿过较大距离，这种现象就是（）。当偏离晶向（）ψc注入时，可以避免。
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在p-Si中扩磷13分钟，测得结深为0.5μm，为使结深达到1.5μm，在原条件下还要扩分钟。（只保留整数）
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一扩散，采取两歩工艺：预淀积温度高（1200℃）时间长（50min），再分布温度低（970℃）时间短（30min），杂质近似为服从高斯分布。
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扩散系数在何时不可以看成是常数：
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扩散掺杂，扩散区要比掩膜窗口尺寸，这是（）效应引起的，它直接影响超大规模集成电路的集成度。
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热氧化过程中杂质在SiO2/Si界面的浓度是突变的，这是由杂质（）引起的。（两个字）
8.
热氧化速率快慢排序：氧化最快、氧化次之、氧化最慢。（从“干氧、湿氧、水汽”中选择填空，中间用“、”隔开）
9.
制作一硅晶体管芯片，在最后用热氧化方法制备了一层SiO2作为保护层。
10.
关于氧化速率下面哪种描述是正确的：
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通常掩膜氧化采用的工艺方法为：
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VPE制备n-/n+-Si用硅烷为源，硅烷是在（）完成的分解。可从下面选择：气相硅片表面n-/n+Si界面
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外延工艺就是在晶体衬底上，用物理的或化学的方法生长（）薄膜。
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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
5.
在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
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VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
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拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
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在空间微重力室用CZ法也能拉制出大尺寸优质晶锭
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关于拉单晶时进行的缩颈步骤，下面的说法那种正确？
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磷在硅熔体与晶体中的分凝系数约为0.35，这使得液相掺杂拉制的掺磷硅锭的电阻率：