在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)
精华吧→答案→慕课→未分类

在已扩散结深达0.8μm的p-Si上再进行湿氧，氧化层厚0.2μm时，结深是多少？(湿氧速率很快,短时间的氧化可忽略磷向硅内部的推进)

A.0.088μm

B.0.712μm

C.0.512μm

D.0.6μm

正确答案：0.712μm

Tag：微电子工艺 速率 时间：2022-03-02 17:03:06

相关答案

热门答案