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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
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如果外延速率偏低，只要增大外延气体中硅源（如SiCl4）浓度，硅的气相外延速率就会增加。
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
微电子工艺
外延
速率
时间：2022-03-02 17:02:57
上一篇：
在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
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