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VPE制备n+/p-Si，结果pn结进入了衬底，这是什么原因造成的：
A.自掺杂效应
B.互扩散效应
C.衬底表面没清洗干净的缘故。
D.掺杂气体不纯
正确答案：互扩散效应
Tag：
微电子工艺
衬底
效应
时间：2022-03-02 17:02:56
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拉单晶的干锅污染主要是由于坩埚材料分解出的（）造成。
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