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衬底
衬底
1.
三态门电路中NMOS管的衬底接()
2.
与或非门电路中PMOS管的衬底接()
3.
与或非门电路中NMOS管的衬底接()
4.
2个NMOS管先串联再并联,衬底接()
5.
或与非门电路中PMOS管的衬底接()
6.
或与非门电路中NMOS管的衬底接()
7.
NMOS管先串联再并联,衬底接()
8.
在微电子领域,最早使用的衬底材料是(),应用最多的高频高速化合物半导体衬底是(),最普遍使用的半导体衬底材料是()。
9.
我国对垃圾填埋有如下要求,除了
10.
下列对于CVD描述正确的是()
11.
显影后需要坚膜的主要原因是()
12.
N沟道MOS管的导电沟道由()组成,衬底是P型半导体。
13.
以下关于软包工程施工工艺的叙述,不正确的是()。
14.
提高LED发光效率的关键是提高()步骤的出光效率。
15.
NMOS管的衬底接法正确的是()
16.
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时,耗尽区加宽,使得阈值电压()
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在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度.导电类型.电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。
18.
MOS管,可近似为由两个背靠背的pn结(漏极和衬底基极间的pn结、源极和衬底基极间的pn结)和一个电容器(栅极和栅氧化层和紧邻的衬底部分形成的电容)组成。其中控制导电沟道的核心是()。
19.
MOS器件的体效应,是指()间未连接在一起,因而两者之间存在偏置电压,使得沟道处的场感应结反偏,耗尽层增加,阈值电压的绝对值升高。
20.
MOSFET的三个基本几何参数是()
21.
MOSFET的温度特性主要来源于阈值电压的绝对值和载流子的迁移率随温度升高而减小,而集成电路工作时由于热损耗和散热问题总是容易出现较高温度下工作,下列能够有效降低温度对集成电路工作稳定性影响的有()。
22.
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。
23.
Revit基本墙可以选择的墙功能有衬底、面层、涂膜层等。()
24.
判断制造下列电路的衬底类型
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下列关于体效应的说法,正确的是()
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如果一个电路的最高电压是VDD,最低电压是VSS,那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
27.
利用高能粒子高速撞击靶材,使大量的靶材表面原子获得相当高的能量而脱离靶材的束缚飞向衬底,沉积成膜,这种制膜方法称为溅射镀膜。
28.
是否需要使用()材料,是阻性消声器与抗性消声器的主要结构区别之一。
29.
用GaAs做衬底的光伏电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,现今主要作用。
30.
铜铟镓硒(CIGS)薄膜组件是在CIS(CuInSe2)的基础上发展起来的,指使用化学物质Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)通过共蒸发或后硒化工艺在衬底上形成吸收层的光伏电池技术。分为()法和()法两种。
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