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衬底
衬底
31.
当有一反向偏置电压加在衬底和源之间时,耗尽区加宽,使得阈值电压()
32.
在制备完好的单晶衬底上,延其原来晶向,生长一层厚度.导电类型.电阻率及晶格结构都符合要求的新单晶层,该薄膜制备方法是()。
33.
MOS管,可近似为由两个背靠背的pn结(漏极和衬底基极间的pn结、源极和衬底基极间的pn结)和一个电容器(栅极和栅氧化层和紧邻的衬底部分形成的电容)组成。其中控制导电沟道的核心是()。
34.
MOS器件的体效应,是指()间未连接在一起,因而两者之间存在偏置电压,使得沟道处的场感应结反偏,耗尽层增加,阈值电压的绝对值升高。
35.
MOSFET的三个基本几何参数是()
36.
MOSFET的温度特性主要来源于阈值电压的绝对值和载流子的迁移率随温度升高而减小,而集成电路工作时由于热损耗和散热问题总是容易出现较高温度下工作,下列能够有效降低温度对集成电路工作稳定性影响的有()。
37.
硅微体刻蚀加工和硅微面刻蚀加工的区别在于()。
38.
Revit基本墙可以选择的墙功能有衬底、面层、涂膜层等。()
39.
判断制造下列电路的衬底类型
40.
下列关于体效应的说法,正确的是()
41.
如果一个电路的最高电压是VDD,最低电压是VSS,那么NMOS器件的衬底应该接VDD。
42.
利用高能粒子高速撞击靶材,使大量的靶材表面原子获得相当高的能量而脱离靶材的束缚飞向衬底,沉积成膜,这种制膜方法称为溅射镀膜。
43.
是否需要使用()材料,是阻性消声器与抗性消声器的主要结构区别之一。
44.
用GaAs做衬底的光伏电池效率高达29.5%(一般在19.5%左右),产品耐高温和辐射,但生产成本高,产量受限,现今主要作用。
45.
铜铟镓硒(CIGS)薄膜组件是在CIS(CuInSe2)的基础上发展起来的,指使用化学物质Cu(铜)、In(铟)、Ga(镓)、Se(硒)通过共蒸发或后硒化工艺在衬底上形成吸收层的光伏电池技术。分为()法和()法两种。
46.
从两电极面积判断射频溅射时,靶放在那个电极上、衬底放在那个电极上?
47.
CVD工艺反应剂气体分子到达衬底表面特殊位置的机制有:扩散;;表面迁移。(三个字)
48.
外延工艺就是在晶体衬底上,用物理的或化学的方法生长()薄膜。
49.
VPE制备n+/p-Si,结果pn结进入了衬底,这是什么原因造成的:
50.
外延生长是一种生长硅单晶薄膜的方法,衬底材料中使用蒸发速率比较小的掺杂元素可以抑制自掺杂,比如Sb。
51.
以下可能导致MIS结构(p型衬底)的阈值电压提高的因素有()
52.
在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()
53.
当横写时,文字辅助标志写在标志的下方,当与警告标志一起出现时,文字使用黑色,衬底色使用白色。()
54.
竖写时,文字辅助标志写在标志杆的上部,白色字,黑色衬底。()
55.
当与禁止标志和指令标志配合使用时,文字辅助标志的文字和衬底色分别使用的颜色是:()
56.
当与警告标志一起使用时,文字辅助标志的文字和衬底色分别使用的颜色是:()
57.
当与警告标志一起使用时,横写的文字辅助标志的衬底色应该使用()。
58.
拉祜族服装大都以黑布衬底,用彩线和色布缀上各种花边图案,再嵌上洁白的银泡,使整个色彩既深沉而又对比鲜明,给人以无限的美感。
59.
压花用的衬底材料非常广泛,有纸质衬底材料、木质衬底材料、纤维织物、玻璃和陶瓷等等。()
60.
衬底材料就是制作压花艺术作品时使用的衬底,也就是压花的载体。()
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