在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？
精华吧→答案→慕课→未分类

在VPE.MBE.SEG.LPE.SPE.UHV/CVD.MOCVD中，哪种外延方法能生长杂质陡变分布的薄外延层？

A.MBE

B.VPE.LPE

C.UHV/CVD

D.SEG.SPE

正确答案：MBE；UHV/CVD

Tag：微电子工艺 外延 杂质 时间：2022-03-02 17:02:57

相关答案

热门答案