为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：
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为了避免尖楔现象用含1%硅的硅铝合金制备IC内电极，多采用下列哪种工艺方法：

A.磁控溅射

B.反应溅射

C.电阻蒸镀

D.LPCVD

E.射频溅射

F.PECVD

正确答案：磁控溅射；射频溅射

Tag：微电子工艺 磁控溅射 射频 时间：2022-03-02 17:03:09

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