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“表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（）
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“表面电场效应”是指载流子被平行于半导体表面的电场加速的现象。（）
A.正确
B.错误
正确答案：错误
Tag：
半导体物理
电场
载流子
时间：2022-01-16 13:49:46
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以下可能导致MIS结构（p型衬底）的阈值电压提高的因素有（）
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关于X线的叙述，错误的是（）Regarding the description of X-ray, the mistake one is（）
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以下对p型衬底的MIS结构的临界强反型状态描述错误的是（）
2.
由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
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当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
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半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
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MIS结构的表面发生强反型时，其表面的导电类型与体材料的（），若增加掺杂浓度，其开启电压将（）。
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MOS器件绝缘层中的可动电荷是（）
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在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
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对于非理想的MIS结构，当半导体功函数小于金属功函数时，引起平带电压为（）；当绝缘层中存在负电荷时，若电荷密度（），或者电荷分布越（）金属一侧，平带电压的绝对值越大。
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在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底（功函数约为4.25eV）上要做出欧姆接触，下面四种金属最适合的是（）
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半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差