对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。


对n型衬底MIS结构而言,当绝缘层中存在正电荷时,其高频C-V特性曲线将()。

A.向负偏压方向平行移动

B.向正偏压方向平行移动

C.不变

D.无法判断

正确答案:向负偏压方向平行移动


Tag:半导体物理 偏压 方向 时间:2022-01-16 13:49:42