首页
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,空间电荷区宽度将()
精华吧
→
答案
→
慕课
→
未分类
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,空间电荷区宽度将()
A.不变
B.增加
C.减小
D.不能确定
正确答案:减小
Tag:
半导体物理
金属
正压
时间:2022-01-16 13:49:33
上一篇:
在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2×1016cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是(A在磷掺杂浓度为2e16cm-3的硅衬底(功函数约为4.25eV)上要做出欧姆接触,下面四种金属最适合的是()
下一篇:
N型半导体形成的肖特基势垒二极管,其正向电流是()。
相关答案
1.
金属和N型半导体接触形成肖特基势垒,若外加正压于金属,随电压增加,则半导体表面电子势垒高度将()
2.
肖特基势垒二极管是一种()载流子器件
3.
半导体的功函数定义为真空能级E0和()之差
4.
金属与N型半导体形成阻挡层,满足()
5.
已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层,且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T,则该p型半导体为()半导体。
6.
考虑镜像力后,金属半导体接触的势垒高度将()
7.
连续性方程所描述的物理现象包括()。
8.
假设其它条件不变,可以通过()降低半导体材料的电阻率。
9.
在某温度范围内,一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大,涉及的物理机理有()。
10.
决定半导体的载流子迁移率的因素有()。
热门答案
1.
半导体中载流子的电输运包括()。
2.
电子迁移率通常高于空穴迁移率,这是由于电子电导有效质量()空穴电导有效质量。
3.
对于某均匀掺杂的半导体,若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时,多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反,则该半导体的掺杂类型为()。
4.
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是()。
5.
对于工作在强电场下(达到速度饱和)的本征半导体,决定其迁移率的主要的散射机制是()。
6.
电子的漂移电流的方向,与()相同。
7.
陷阱中心的存在会增加少子寿命。
8.
对于掺杂浓度一定的Si半导体材料,温度越高,载流子浓度越高。
9.
浅受主能级也能成为有效的复合中心。
10.
本征载流子浓度随着温度的升高而()