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决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
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决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
A.禁带宽度
B.电导有效质量
C.状态密度有效质量
D.温度
正确答案：电导有效质量；温度
Tag：
半导体物理
电导
质量
时间：2022-01-16 13:49:25
上一篇：
半导体中载流子的电输运包括（）。
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在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
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电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。
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对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。
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下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
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对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（）。
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电子的漂移电流的方向，与（）相同。
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陷阱中心的存在会增加少子寿命。
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对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。
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浅受主能级也能成为有效的复合中心。
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本征载流子浓度随着温度的升高而（）
10.
对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
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P型半导体中往往存在（）陷阱
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若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
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T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
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对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
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下面（）过程属于间接复合的微观过程
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根据掺入的杂质类型以及数量，半导体可分为（）
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杂质能级的作用包括以下（）
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对应于直接能隙半导体，禁带宽度越大，发光波长越（）
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Si材料的主要复合机制是（）