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陷阱中心的存在会增加少子寿命。
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陷阱中心的存在会增加少子寿命。
A.正确
B.错误
正确答案：正确
Tag：
半导体物理
少子
寿命
时间：2022-01-16 13:49:19
上一篇：
对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。
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电子的漂移电流的方向，与（）相同。
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