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在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。
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在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。
A.In
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正确答案：In
Tag：
半导体物理
半导体
元素
时间：2022-01-16 13:49:05
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在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。
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某Si半导体掺有2×10^17cm^-3的硼原子以及3×10^16cm^-3的磷原子，那么此Si半导体主要是（）导电。
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载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
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载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
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禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（）。
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导带底与价带顶之间的能量区域称为（）。
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价电子所在的允带称为（）。
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空带上能量最低的允带称为（）。
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热激发产生的载流子叫（）载流子。
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光照产生的载流子叫（）载流子。
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波粒二象性是指微观粒子有时表现为（），而电磁波有时表现为粒子性。
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量子化能级是（）的能级。
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海森伯堡测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（）动量。
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共价键的数目遵从8-N原则。
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原子最外层的电子称为芯电子。
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