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在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。
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在纯Si中掺入下列（）元素，Si将变为n型半导体。
A.Ca
B.As
C.Ga
D.C
正确答案：As
Tag：
半导体物理
半导体
元素
时间：2022-01-16 13:49:04
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载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)的位置与价带顶所对应波数(kh)不同的能隙类型称为间接能隙，相应的半导体称为间接能隙半导体。
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在纯Ge中掺入下列（）元素，Ge将变为p型半导体。
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载流子跃迁前后在（）所对应的波数(ke)与价带顶所对应波数(kh)相同的能隙类型称为直接能隙，相应的半导体称为直接能隙半导体。
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禁带宽度是导带底与价带顶之间的能量之（）。
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导带底与价带顶之间的能量区域称为（）。
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价电子所在的允带称为（）。
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空带上能量最低的允带称为（）。
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热激发产生的载流子叫（）载流子。
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光照产生的载流子叫（）载流子。
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波粒二象性是指微观粒子有时表现为（），而电磁波有时表现为粒子性。
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量子化能级是（）的能级。
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海森伯堡测不准原理是指对于同一粒子不可能同时确定其（）动量。
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德布罗意（DeBroglie）波长是普朗克常数（Planck）和粒子的（）的比值。
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C.Si、Ge晶体都属于闪锌矿型结构。
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半导体中有两种载流子。
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密勒指数是描写布喇菲点阵中晶面方位的一组互质的整数。
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