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肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
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肖特基势垒二极管是一种（）载流子器件
A.多子
B.少子
C.双极
D.复合型
正确答案：多子
Tag：
半导体物理
载流子
少子
时间：2022-01-16 13:49:31
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半导体的功函数定义为真空能级E0和（）之差
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金属和N型半导体接触形成肖特基势垒，若外加正压于金属，随电压增加，则半导体表面电子势垒高度将（）
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金属与N型半导体形成阻挡层，满足（）
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已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为（）半导体。
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考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
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连续性方程所描述的物理现象包括（）。
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假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。
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在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
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决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
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半导体中载流子的电输运包括（）。
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电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。
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对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。
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对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（）。
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电子的漂移电流的方向，与（）相同。
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陷阱中心的存在会增加少子寿命。
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对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。
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浅受主能级也能成为有效的复合中心。
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本征载流子浓度随着温度的升高而（）
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对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
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P型半导体中往往存在（）陷阱
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若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）