首页
精华吧
→
答案
→
Tag
→
载流子
载流子
1.
n型半导体以载流子为主。
2.
p型半导体以载流子为主。
3.
以下哪些是本征半导体的电学特性?
4.
对于硅单晶而言,温度越高,其载流子浓度越低,导电性越差。
5.
反向偏置饱和电流可看成是由中性区内少数载流子的产生而导致的。
6.
正向偏置增加了耗尽层内的载流子浓度且高于其热平衡值,这导致了该区域内载流子出现复合占优。
7.
不同的半导体材料,在同一温度T时,禁带宽度Eg越大,本征载流子浓度ni就越()。
8.
半导体少数载流子产生的原因是()
9.
光电二极管探测器响应时间由什么因素决定?
10.
N型半导体中的多数载流子为。
11.
1对半导体言,其正确的说法是()
12.
场效应管靠()导电
13.
集电极的作用是()
14.
电离涨落不严格遵守高斯分布的原因是()
15.
气体探测器的载流子是()
16.
本征半导体中有哪些类型的载流子
17.
绝对零度时,纯硅中
18.
对于纯硅而言,进行施主型掺杂以后
19.
关于硅中载流子激发的说法中,错误的有()
20.
P型杂质半导体中,空穴为()载流子,自由电子为()载流子。(填多数或少数)
21.
N型半导体中空穴为少数载流子,自由电子为载流子。(填多数或少数)
22.
霍尔元件的灵敏度与()有关
23.
绝缘材料不适合作霍尔元件,是因为其
24.
影响霍尔元件灵敏度的因素包括()
25.
霍尔元件的材料半导体材料,是因为半导体材料的(),从而使灵敏度KH高
26.
回旋共振实验可以测量半导体的参数()
27.
P型半导体的多数载流子()
28.
N型半导体的多数载流子的数量主要取决于()
29.
P型半导体少数载流子的数量取决于()
30.
温度升高,本征半导体的载流子数量()
上一页
首页
下一页