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考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
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考虑镜像力后，金属半导体接触的势垒高度将（）
A.降低
B.不变
C.升高
D.无法判断
正确答案：降低
Tag：
半导体物理
半导体
高度
时间：2022-01-16 13:49:28
上一篇：
连续性方程所描述的物理现象包括（）。
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已知某种金属与p型硅半导体接触时形成阻挡层，且金属一侧的势垒高度比半导体一侧的高k0T，则该p型半导体为（）半导体。
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假设其它条件不变，可以通过（）降低半导体材料的电阻率。
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在某温度范围内，一定掺杂的硅的电阻率随温度升高而增大，涉及的物理机理有（）。
3.
决定半导体的载流子迁移率的因素有（）。
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半导体中载流子的电输运包括（）。
5.
电子迁移率通常高于空穴迁移率，这是由于电子电导有效质量（）空穴电导有效质量。
6.
对于某均匀掺杂的半导体，若当体内某处电场与浓度梯度的方向相同时，多子漂移电流密度与多子扩散电流密度方向相反，则该半导体的掺杂类型为（）。
7.
下列关于硅的电子电导率的描述正确的是（）。
8.
对于工作在强电场下（达到速度饱和）的本征半导体，决定其迁移率的主要的散射机制是（）。
9.
电子的漂移电流的方向，与（）相同。
10.
陷阱中心的存在会增加少子寿命。
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对于掺杂浓度一定的Si半导体材料，温度越高，载流子浓度越高。
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浅受主能级也能成为有效的复合中心。
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本征载流子浓度随着温度的升高而（）
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对于GaAs半导体材料，小注入时样品在（）中寿命最大。
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P型半导体中往往存在（）陷阱
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若某半导体在价带中发现空穴的几率为零，则该半导体必定（）
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对于掺杂浓度相同的下列半导体，工作温度最高的为（）
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T0K时，位于EF以上的能级，随着温度的升高，电子占据能级的几率（）
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对应于一掺杂Si半导体，室温时空穴的来源包括（）
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下面（）过程属于间接复合的微观过程