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半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
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半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
A.增加
B.不变
C.减小
D.无法判断
正确答案：不变
Tag：
半导体物理
宽度
半导体
时间：2022-01-16 13:49:42
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
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当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
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