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当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
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当在理想MIS结构上外加电压时，可能发生的状态有（）
A.多子积累
B.多子耗尽
C.少子反型
D.少子积累
E.少子耗尽
F.多子反型
正确答案：多子积累；多子耗尽；少子反型
Tag：
半导体物理
少子
电压
时间：2022-01-16 13:49:43
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半导体表面达到强反型以后，随外加电压的增加，耗尽层宽度（）。
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由硅半导体构成的某理想MOS结构上外加电压时，已知在绝缘层与硅界面处存在超过体内多子浓度的空穴浓度，则可能的原因有（）。
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对n型衬底MIS结构而言，当绝缘层中存在正电荷时，其高频C-V特性曲线将（）。
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