在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
在MIS结构的金属栅极和半导体上加一变化的电压，在栅极电压由负值增加到足够大的正值的的过程中，如半导体为P型，则在半导体的接触面上依次出现的状态为（）。
A.少数载流子反型状态，多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态
B.多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态
C.多数载流子耗尽状态，多数载流子堆积状态，少数载流子反型状态
D.少数载流子反型状态，多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态
正确答案：多数载流子堆积状态，多数载流子耗尽状态，少数载流子反型状态