首页
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
在Si材料中掺入P，则引入的杂质能级（）
A.在禁带中线处
B.靠近导带底
C.靠近价带顶
D.以上都不是
正确答案：B
Tag：
半导体物理学
能级
中线
时间：2024-02-17 10:03:08
上一篇：
在晶体硅中掺入元素（）杂质后，能形成N型半导体。
下一篇：
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时，其小注入下的少子寿命正比于（）。
相关答案
1.
将Si掺杂入GaAs中，若Si取代As则起（）杂质作用。
2.
在热平衡状态时，P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数，它和（）有关。
3.
如果一半导体的导带中发现电子的几率为零，那么该半导体必定（）。
4.
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
5.
锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
6.
公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
7.
有效复合中心的能级必靠近（）。
8.
本征半导体是指（）的半导体。
9.
砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
10.
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
热门答案
1.
对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
2.
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
3.
空穴是（）。
4.
导带底的电子是（）。
5.
金属和半导体接触分为：（）。
6.
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
7.
半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
8.
一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
9.
砷有效的陷阱中心位置（）
10.
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。