杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中,当温度升高时,电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是()。
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A.变大,变小
B.变小,变大
C.变小,变小
D.变大,变大
正确答案:B
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