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砷有效的陷阱中心位置（）
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砷有效的陷阱中心位置（）
A.靠近禁带中央
B.靠近费米能级
C.远离费米能级
D.远离禁带中央
正确答案：B
Tag：
半导体物理学
费米
能级
时间：2024-02-17 10:02:50
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杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
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