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最有效的复合中心能级位置在（）附近。
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最有效的复合中心能级位置在（）附近。
A.EA
B.少子
C.多子
D.Ei
正确答案：D
Tag：
半导体物理学
少子
能级
时间：2024-02-17 10:02:47
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最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
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载流子在电场作用下的运动为（）。
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电子在晶体中的共有化运动时指（）
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与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
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下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
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自补偿效应的起因是（）
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在P型半导体中（）
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当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
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PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
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重空穴是指（）
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在n型半导体中（）
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当施主能级ED与费米能级EF相等时，电离施主的浓度为施主浓度的（）倍。
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一般可以认为，在温度不很高时，能量大于费米能级的量子态基本上（），而能量小于费米能级的量子态基本上为（），而电子占据费米能级的概率在各种温度下总是（），所以费米能级的位置比较直观地标志了电子占据量子态的情况，通常就说费米能级标志了电子填充能级的水平。
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一般半导体它的价带顶位于（），而导带底位于（）。
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杂质对于半导体导电性能有很大影响，下面哪两种杂质分别掺杂在硅中能显著地提高硅的导电性能（）。
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同一种施主杂质掺入甲、乙两种半导体，如果甲的相对介电常数εr是乙的3/4，mn*/m0值是乙的2倍，那么用类氢模型计算结果是（）。
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如果杂质既有施主的作用又有受主的作用，则这种杂质称为（）。
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半导体中由于浓度差引起的载流子的运动为（）。
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硅导带结构为（）。
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一块半导体寿命τ=15μs，光照在材料中会产生非平衡载流子，光照突然停止30μs后，其中非平衡载流子将衰减到原来的（）。
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一般半导体器件使用温度不能超过一定的温度，这是因为载流子浓度主要来源于（），而将（）忽略不计。
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根据费米分布函数，电子占据（EF+KT）能级的几率（）