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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
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Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
A.点阵中的金属原子空位
B.点阵中的原子间隙
C.一种在禁带中引入施主能级的点缺陷
D.一种在禁带中引入受主能级的位错
正确答案：A
Tag：
半导体物理学
能级
空位
时间：2024-02-17 10:02:53
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半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
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