首页
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于()。
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
当一种n型半导体的少子寿命由直接辐射复合决定时,其小注入下的少子寿命正比于()。
A.1/n0
B.1/△n
C.1/p0
D.1/△p
正确答案:A
Tag:
半导体物理学
少子
寿命
时间:2024-02-17 10:03:08
上一篇:
在Si材料中掺入P,则引入的杂质能级()
下一篇:
对于一定的n型半导体材料,温度一定时,减少掺杂浓度,将导致()靠近Ei。
相关答案
1.
在晶体硅中掺入元素()杂质后,能形成N型半导体。
2.
将Si掺杂入GaAs中,若Si取代As则起()杂质作用。
3.
在热平衡状态时,P型半导体中的电子浓度和空穴浓度的乘积为常数,它和()有关。
4.
如果一半导体的导带中发现电子的几率为零,那么该半导体必定()。
5.
MIS结构发生多子积累时,表面的导电类型与体材料的类型()。
6.
锗的晶格结构和能带结构分别是()。
7.
公式*q/m中的τ是半导体载流子的()。
8.
有效复合中心的能级必靠近()。
9.
本征半导体是指()的半导体。
10.
砷化稼的能带结构是()能隙结构。
热门答案
1.
对于一定的N型半导体材料,在温度一定时,减小掺杂浓度,费米能级会()。
2.
对掺杂的硅等原子半导体,主要散射机构是:()。
3.
与绝缘体相比,半导体的价带电子激发到导带所需要的能量()。
4.
空穴是()。
5.
导带底的电子是()。
6.
金属和半导体接触分为:()。
7.
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是()
8.
半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于()
9.
一块半导体材料,光照在材料中会产生非平衡载流子,若光照忽然停止t后,其中非平衡载流子将衰减为原来的()。
10.
砷有效的陷阱中心位置()