首页
锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
锗的晶格结构和能带结构分别是（）。
A.金刚石型和直接禁带型
B.闪锌矿型和直接禁带型
C.金刚石型和间接禁带型
D.闪锌矿型和间接禁带型
正确答案：C
Tag：
半导体物理学
闪锌矿
晶格
时间：2024-02-17 10:03:02
上一篇：
公式*q/m中的τ是半导体载流子的（）。
下一篇：
MIS结构发生多子积累时，表面的导电类型与体材料的类型（）。
相关答案
1.
有效复合中心的能级必靠近（）。
2.
本征半导体是指（）的半导体。
3.
砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
4.
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
5.
对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
6.
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
7.
空穴是（）。
8.
导带底的电子是（）。
9.
金属和半导体接触分为：（）。
10.
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
热门答案
1.
半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
2.
一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
3.
砷有效的陷阱中心位置（）
4.
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
5.
载流子在电场作用下的运动为（）。
6.
最有效的复合中心能级位置在（）附近。
7.
最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
8.
电子在晶体中的共有化运动时指（）
9.
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
10.
下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。