首页
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
精华吧
→
答案
→
远程教育
→
联大学堂
对于一定的N型半导体材料，在温度一定时，减小掺杂浓度，费米能级会（）。
A.上移
B.下移
C.不变
D.左移
正确答案：B
Tag：
半导体物理学
费米
能级
时间：2024-02-17 10:02:59
上一篇：
对掺杂的硅等原子半导体，主要散射机构是：（）。
下一篇：
砷化稼的能带结构是（）能隙结构。
相关答案
1.
与绝缘体相比，半导体的价带电子激发到导带所需要的能量（）。
2.
空穴是（）。
3.
导带底的电子是（）。
4.
金属和半导体接触分为：（）。
5.
Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体中的M空位Vm是（）
6.
半导体中少数载流子寿命的大小主要决定于（）
7.
一块半导体材料，光照在材料中会产生非平衡载流子，若光照忽然停止t后，其中非平衡载流子将衰减为原来的（）。
8.
砷有效的陷阱中心位置（）
9.
杂质半导体中的载流子输运过程的散射机构中，当温度升高时，电离杂质散射的概率和晶格振动声子的散射概率的变化分别是（）。
10.
载流子在电场作用下的运动为（）。
热门答案
1.
最有效的复合中心能级位置在（）附近。
2.
最有利陷阱作用的能级位置在（）附近
3.
电子在晶体中的共有化运动时指（）
4.
与半导体相比较，绝缘体的价带电子激发到导带所需的能量（）。
5.
下面情况下的材料中，室温时功函数最大的是（）。
6.
自补偿效应的起因是（）
7.
在P型半导体中（）
8.
当PN结外加反向电压时，扩散电流与漂移电流的关系及耗尽层宽度的变化为（）。
9.
PN结击穿主要有下列哪三种物理机制（）
10.
重空穴是指（）