A.正确

B.错误

正确答案：正确

26、载流子在内电场作用下的运动称为漂移运动，由此引起的电流称为漂移电流。（）

A.正确

B.错误

正确答案：错误

27、Ⅲ族元素在硅中电离时能够接受电子而产生导电空穴并形成负电中心，称此类杂质为受主杂质。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

28、内部原子或分子的排列呈现杂乱无章的分布状态的固体，称为非晶体。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

29、PN结加正向电压时，呈现低电阻，具有较大的正向扩散电流。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

30、氧化硅层在半导体器件中起什么作用？

正确答案：掩蔽作用|钝化作用|绝缘隔离层|绝缘栅材料

31、金属和半导体接触分为有整流特性的肖特基接触和非整流的欧姆接触。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

32、纯净晶体结构的半导体称为本征半导体。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

33、点缺陷类型有哪些？

正确答案：①空位；②基质原子的填隙；③杂质原子的填隙与替位。

34、半导体的五大基本特性。

正确答案：（1）负电阻温度效应：温度升高，电阻减小。（2）光电导效应：由辐射引起的被照射材料的电导率改变的现象。（3）整流效应：加正向电压时，导通；加反向电压时，不导通。（4）光生伏特效应：半导体和金属接触时，在光照射下产生电动势。（5）霍尔效应：通有电流的导体在磁场中受力的作用，在垂直于电流和磁场的方向产生电动势的现象。

35、电子和空穴的不同之处是什么？

正确答案：有效质量互为相反数；能量符号相反；电子带负电，空穴带正电。

36、电子和空穴的有哪些共同之处？

正确答案：在真实空间的位置不确定；运动速度一样；数量一致（成对出现）。

37、元素半导体掺杂工艺有哪些？

正确答案：①外延；②离子注入；③热扩散。

38、什么是空穴？

正确答案：在电子脱离价键的束缚而成为自由电子后，价键中所留下的空位叫空穴。

39、什么是p型半导体？

正确答案：空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体称为p型半导体。

40、简述实际半导体中杂质与缺陷来源。

正确答案：①原材料纯度不够；②制造过程中引入；③人为控制掺杂。

41、为什么点阵间隔越小，能带越宽？

正确答案：点阵间隔越小，电子共有化运动能力越强，能带也就越宽。

42、什么是本征激发？

正确答案：电子从价带直接向导带激发，成为导带电子的过程就是本征激发。

43、什么是n型半导体？

正确答案：自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体称为n型半导体。

44、半导体中的载流子复合可以有很多途径，主要有哪两大类？

正确答案：带间电子-空穴直接复合和通过禁带内的复合中心进行复合。

45、为什么内壳层电子能带窄，外层电子能带宽？

正确答案：内层电子处于低能态，外层电子处于高能态，所以外层电子的共有化运动能力强，因此能带宽。（原子的内层电子受到原子核的束缚较大，与外层电子相比，它们的势垒强度较大。）