联大学堂《半导体物理学（周口师范学院）》题库及答案

1、相对于Si材料，GaAs具有哪些缺点？

正确答案：资源稀缺|价格昂贵|污染环境|机械强度|制备困难

2、影响迁移率的主要因素有哪些？

正确答案：散射因素|电荷量|平均自由时间|有效质量

3、为什么发光器件多半采用直接带隙半导体来制作？

正确答案：寿命很短|发生复合|光的形式|效率高

4、非晶半导体中载流子的输运机制是怎样的？

正确答案：弥散输运|多次陷落机制|跳跃机制

5、阐述GaAs的应用？

正确答案：无线通讯|功率放大器

6、阐述深能级杂质的特点。

正确答案：不容易电离|多重能级|复合中心作用

7、热平衡时载流子浓度由哪些因素决定？

正确答案：能量状态密度|电子分布函数

8、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体晶体结构有哪些？

正确答案：金刚石结构|闪锌矿结构|纤锌矿结构

9、影响固溶体形成的因素有哪些？

正确答案：质点尺寸|晶体结构|电价因素|电负性

10、半导体中载流子的散射机构有哪几种？

正确答案：电离杂质散射|晶格散射|其他散射

11、为什么器件正常工作大多在饱和电离区？

正确答案：温度太低或太高|浓度|温度无关

12、元素半导体中的缺陷、原子空位起什么作用？间隙起什么作用？

正确答案：受主作用|施主作用

13、影响表面复合的因素有哪些？

正确答案：表面粗糙度|表面积与总体积的比例|表面清洁度|化学氛围

14、为什么在半导体中空穴迁移率一般比电子迁移率低？

正确答案：单位电场强度下|平均漂移速度|比电子困难

15、Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的基本性质。

正确答案：带隙较大|带结构|电子迁移率高|温度变化

16、为什么在半导体掺杂中，杂质会产生多个能级？

正确答案：电子壳层结构|杂质原子的大小|半导体晶格中的位置

17、简述肖特基缺陷和弗伦克尔缺陷的不同之处。

正确答案：弗伦克尔缺陷是空位和间隙质点成对缺陷，晶体体积不发生改变；肖特基缺陷：正离子和负离子空位是成比例出现，伴随体积的增加。

18、本征半导体的特征是什么？

正确答案：电子浓度等于空穴浓度，载流子少，导电性差，温度稳定性差。

19、在半导体中掺入杂质的作用是什么？

正确答案：微量杂质|束缚状态|杂质能级|导电性|导电类型

20、阐述影响本征半导体载流子浓度的主要因素。

正确答案：能带结构|温度

21、能级杂质在半导体复合中所起的作用。

正确答案：施主或受主|复合中心或缺陷

22、什么是施主杂质？

正确答案：Ⅴ族元素在硅中电离时能够释放电子而产生导电电子并形成正电中心，称此类杂质为施主杂质。

23、热电效应是电流引起的可逆热效应和温差引起的电效应的总称。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

24、陷阱效应是指非平衡载流子落入位于禁带中的杂质或缺陷能级。（）

A.正确

B.错误

正确答案：正确

25、费米能级难以移动的现象，称为高能度隙态的钉扎效应。（）