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半导体材料

61.硅中的一些主要的杂质比如C和O的分凝系数都大于1.
62.熔区次数的选择可以根据经验公式得到：n=(1~1.5)L/l
63.区熔可以重复多次，使杂质尽量被集中在头尾两端，提纯中部的材料，且熔区越长越好。
64.区熔硅可以在气氛中含氮来抑制微缺陷，增加机械强度。
65.区熔的熔区移动速度越小，提纯效果越好。
66.区熔提纯利用分凝原理。
67.硅烷法的成本低，但是安全性差。
68.硅的化学提纯技术的区别主要是中间化合物不同，西门子法是最常用的方法。
69.半导体硅的性能对于杂质非常敏感，一般通过提纯硅和有目的的掺杂来实现对性能的控制。
70.以下描述错误的是（）A.电子级高纯多晶硅达到9~10个“9”
71.以下描述正确的是（）A.硅材料在自然界中非常丰富，存在天然的晶体硅
72.以下不是太阳能级多晶硅的制备方法的是（）
73.硅晶体掺杂的杂质在室温下可认为全部电离，电阻率与掺杂浓度呈反比关系。
74.硅材料本身是没有电活性的，可以通过掺杂杂质原子降低电阻率。
75.硅晶体的最密排面是{111}面，第一解离面是{110}面。
76.形成P型硅的掺杂剂是（）
77.以下对于硅材料特性的描述正确的是（）
78.以下对于硅的化学性质描述正确的是（）
79.以下对于硅材料的性质的描述正确的是（）
80.以下与硅单晶的晶体结构相同的晶体有（）
81.CVD方法生长的薄膜材料一般纯度和致密性都很好，但是反应的源气、余气有毒。
82.区熔法可以生长熔点极高的晶体。
83.液封提拉法可以在一定程度上防止晶体生长过程中杂质的引入。
84.生长硅晶体最常用的方法是直拉法（Czochralski)。
85.SiC可以用熔体生长法。
86.生长非常高熔点的氧化物（如：钇铝石榴石）一般用什么方法（）
87.目前生长半导体体单晶最常见的方法是（）
88.以下熔体生长法生长晶体描述正确的是（）
89.硅晶体和锗晶体的晶体结构相同，均为金刚石结构。
90.在体系中存在外来质点（比如尘埃、固体颗粒、籽晶等），在外来质点上成核叫做均匀成核。

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