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GaAs的导带极值位于布里渊区（）
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GaAs的导带极值位于布里渊区（）
A.中心
B.<111>方向边界处
C.<100>方向边界处
D.<110>方向边界处
正确答案：A
Tag：
半导体物理学
边界
方向
时间：2024-02-17 10:02:21
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在光电转换过程中，硅材料一般不如GaAs量子效率高，其因是（）
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若某半导体导带中发现电子的几率为零，则该半导体必定（）
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如果在神州十号太空实验室里，生长的GaAs具有很高的载流子迁移率，这是因为（）的缘故。
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受主杂质电离后向半导体提供（），施主杂质电离后向半导体提供（），本征激发向半导体提供（）。
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电子是带（）电的（）；空穴是带（）电的（）粒子。
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nopo=ni2标志着半导体处于（）状态，当半导体掺入的杂质含量改变时，乘积nopo改变否？（）；当温度变化时，nopo改变否？（）。
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载流子的漂移运动是由（）引起的。
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当半导体中载流子浓度的分布不均匀时，载流子将做（）运动；在半导体存在外加电压情况下，载流子将做（）运动。
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当半导体材料处于热平衡时，其电子浓度与空穴浓度的乘积为（），并且该乘积和（）有关，而与（）无关。
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如果电子从价带顶跃迁到导带底时波矢k不发生变化，则具有这种能带结构的半导体称为（）。
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硅的导带极小值位于布里渊区的（），根据晶体对称性共有（）个等价能谷。
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半导体中的陷阱中心使其中光电导灵敏度（），并使其光电导衰减规律（）。
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纯净半导体Si中掺V族元素的杂质，当杂质电离时释放（）。这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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若用氮取代磷化镓中的部分磷，结果是（）；若用砷的话，结果是（）。
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n型硅掺As后，费米能级向（）移动，在室外温度下进一步升高温度，费米能级向（）移动。
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PN结电容可分为（）和（）两种。
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半导体中的载流子主要受到两种散射，它们分别是（）和（）。
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在存在自建电场的半导体中产生（），可制成（）。
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起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
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纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
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有效陷阱中心位置靠近（）