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已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
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已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
正确答案：1.11微米|1.85微米
Tag：
半导体物理学
波长
时间：2024-02-17 10:01:54
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有效陷阱中心位置靠近（）
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纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
相关答案
1.
光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
2.
电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
3.
半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
4.
有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
5.
简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
6.
能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
7.
两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
8.
间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
9.
复合中心的作用是（）
10.
将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）
热门答案
1.
费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）
2.
在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）
3.
半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
4.
掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）
5.
电子浓度不等于空穴浓度。（）
6.
电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（）
7.
半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）
8.
温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）
9.
砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）
10.
在热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为100%，如果温度大于热力学温度零度时，能量比EF小的量子态被电子占据的概率为小于50%。（）