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纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
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纯净半导体Si中掺Ⅲ族元素的杂质，当杂质电离时在Si晶体的共价键中产生了一个（），这种杂质称（）杂质；相应的半导体称（）型半导体。
正确答案：空穴|受主|P
Tag：
半导体物理学
杂质
半导体
时间：2024-02-17 10:01:56
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已知硅的Eg为1.12eV，则本征吸收的波长限为（）；Ge的Eg为0.67eV，则本征吸收的波长限为（）。
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起有效复合中心的杂质能级必须位于（）
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有效陷阱中心位置靠近（）
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光生载流子发生辐射复合时，伴随着（），这就是半导体的（）现象，利用这种现象可制成（）。
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电子和空穴的俘获系数rn或rp必须满足（）
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半导体吸收光子后产生光生载流子，在均匀半导体中是（）增加，可制成（）。
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有效质量概括了晶体内部势场对载流子的作用，可通过（）实验来测量。
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简并半导体一般是（）掺杂半导体，这时（）对载流子的散射作用不可忽略。
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能带中载流子的有效质量反比于能量函数对于波矢的（），引入有效质量的意义在于其反映了晶体材料的（）的作用。
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两种不同半导体接触后，费米能级较高的半导体界面一侧带（）电，达到热平衡后两者的费米能级（）。
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间隙原子和空位成对出现的点缺陷称为（）；形成原子空位而无间隙原子的点缺陷称为（）。
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复合中心的作用是（）
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将Si掺杂入GaAs中，Si取代Ga则起施主杂质作用，若Si取代As则起受主杂质作用。（）
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费米能级是半导体中大量电子构成的热力学系统的化学势。（）
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在稳定不变的光照下，半导体中电子和空穴浓度也是保持恒定不变的。（）
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半导体硅的价带极大值位于空间第一布里渊区的中央，其导带极小值位于（）方向上距布里渊区边界约0.85倍处，因此属于（）半导体。
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掺入杂质的本征半导体称为杂质半导体。（）
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电子浓度不等于空穴浓度。（）
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电子在半导体中传输时若发生晶格振动散射，则会发出或者吸收声子，使电子动量发生改变，从而影响到电导率。（）
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半导体又分为n型半导体和p型半导体。（）
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温度越高，载流子热运动的平均速度越大。（）
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砷化稼是直接能隙半导体，硅和锗是间接能隙半导体。（）